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PWM DCDC转换器绝缘栅双极晶体管IGBT

作者:PP电子官网更新时间:2021-02-26 23:53点击次数:字号:T|T

  (1)IGBT是一种电压控制的功率开关器件:IGBT等效于用MOSFET做驱动级的一种压控功率开关器件。

  (2)IGBT比MOSFET的耐压高,电流容量大:IGBT导通时正载流子从P+层流人N型区并在N型区积蓄,加强了电导调制效应,这就使IGBT在导通时 呈现的电阻比高压(300V以上)MOSFET低得多,因而IGBT容易实现高压大电流。前级是个电流较小的MOSFET,允许导通电阻较大,Nˉ层可以适当 地加厚,耐压可以提高。

  (3)开通速度比MOSFET快:由于IGBT中小电流MOSFET的开通速度很快,在开通之初后级PNP型晶体管的基极电流上升很快,使IGBT的开通速度不 但比双极性晶体管快,而且开通延迟时间td(ON)比同容量的MOSFET还短。

  (4)关断速度比MOSFET慢:虽然IGBT中前级MOSFET的关断速度很快,但后级PNP型晶体管是少子功率的开关器件,少数载流子要有复合、扩散和 消失的时间,在电流迅速下降到约1/3时,下降速度明显变慢,俗称“拖尾”。后级PNP型管的集一射极之间有基一射极PN结压降和MOSFET的压 降,故集一射极不进入深饱和状态,关断速度较快。随着生产工艺的改进,关断速度也有明显的提高。

  (2)即使在集电极电流Ic很小时,UCE也只少有一个PN结的压降(约0.7V),这就是IGBT为什么不做成低压开关器件的原因。

  (3)虽然栅极电压UCE不很大(如7V),也能输出一定的集电极电流Ic但通态压降UCE(on)较大。当栅极电压UCE增大到15V时,通态压降UCE(on)明显减小。

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